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      聯(lián)發(fā)科:采用臺(tái)積電3納米制程生產(chǎn)的芯片已成功流片,預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)

      科技盲盒2023-09-07 11:04

      經(jīng)濟(jì)觀察網(wǎng)訊 9月7日,聯(lián)發(fā)科與臺(tái)積電共同宣布,聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積電3納米制程生產(chǎn)的天璣旗艦芯片開(kāi)發(fā)進(jìn)度十分順利,日前已成功流片,預(yù)計(jì)將在明年量產(chǎn)。臺(tái)積電的3納米制程技術(shù)不僅為高性能計(jì)算和移動(dòng)應(yīng)用提供完整的平臺(tái)支持,還擁有更強(qiáng)化的性能、功耗以及良率。相較于5納米制程,臺(tái)積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度增加約60%,在相同功耗下速度提升18%,或者在相同速度下功耗降低32%。聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積電3納米制程的天璣旗艦芯片將于2024年下半年上市。

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