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      高壓快充激活碳化硅芯片市場(chǎng) 國(guó)內(nèi)廠商大舉分食產(chǎn)業(yè)鏈蛋糕

      周信2024-10-26 12:00

      經(jīng)濟(jì)觀察報(bào) 周信/文 隨著新能源汽車800V高壓快充蔚然成風(fēng),車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)站上了“風(fēng)口”。碳化硅功率器件以其耐高壓、耐高頻、耐高溫特點(diǎn),可以顯著提高電池充電速度和整車運(yùn)行效率,因此國(guó)內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體企業(yè)加快發(fā)展步伐,以搶占碳化硅市場(chǎng)的蛋糕。

      近日,吉利參與投資的廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司(下稱“芯粵能”)發(fā)生工商變更,新增國(guó)投(廣東)科技成果轉(zhuǎn)化創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)等為股東,注冊(cè)資本由4億元增至約4.55億元。此前不久,芯粵能宣布完成了約十億元的A輪融資,以加速產(chǎn)能提升。

      “我們主要生產(chǎn)和研發(fā)碳化硅晶圓,也自研了開放式碳化硅芯片加工平臺(tái),可以生產(chǎn)6英寸晶圓,可以為其他企業(yè)進(jìn)行代工。”芯粵能相關(guān)負(fù)責(zé)人向經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)表示。

      定位于晶圓代工廠的芯粵能受到資本關(guān)注,是碳化硅功率器件受熱捧的一個(gè)縮影。當(dāng)前,整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都在加快功率器件量產(chǎn)。但在晶圓做大的趨勢(shì)下,國(guó)內(nèi)企業(yè)還沒(méi)能邁過(guò)8英寸晶圓的量產(chǎn)門檻。

      碳化硅器件受熱捧

      更快的充電速度是解決電動(dòng)車“里程焦慮”的一個(gè)重要方式。自2019年來(lái),包括保時(shí)捷、小鵬汽車、理想汽車、極氪汽車、阿維塔、問(wèn)界等整車品牌,都已經(jīng)推出了800V高壓系統(tǒng),而其中的關(guān)鍵就是碳化硅功率器件。

      在傳統(tǒng)硅基材料功率器件性能受限的前提下,具備更好性能的碳化硅功率器件成了實(shí)現(xiàn)高壓快充必備的一環(huán)。搭載碳化硅功率器件的高壓系統(tǒng),普遍可以實(shí)現(xiàn)十多分鐘即可將電池電量從10%充至80%。

      在此背景下,碳化硅功率器件廠商受到了很多的關(guān)注。在10月18日的廣州南沙首屆全球招商引智大會(huì)上,芯粵能宣布與8家投資方代表簽約。芯粵能本輪融資由廣東省集成電路基金二期與國(guó)投創(chuàng)業(yè)基金聯(lián)合領(lǐng)投,社保灣區(qū)科創(chuàng)基金、深創(chuàng)投、廣州產(chǎn)投、科金控股集團(tuán)、大眾聚鼎、博原資本等聯(lián)合參與,其中多個(gè)投資方為廣東國(guó)資背景。

      芯粵能成立于2021年,由其母公司廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司(下稱“芯聚能”)與威睿電動(dòng)汽車技術(shù)(寧波)有限公司(下稱“威睿”)合資成立,總部位于廣州市南沙自貿(mào)區(qū),主要生產(chǎn)車規(guī)級(jí)和工控領(lǐng)域碳化硅 SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件。

      芯聚能的碳化硅功率模塊于2022年應(yīng)用在奔馳和吉利合資的smart精靈#1,以及極氪009、001等車型上,成為國(guó)內(nèi)第一家由第三方提供、進(jìn)入量產(chǎn)乘用車的碳化硅主驅(qū)模塊。

      芯粵能的碳化硅產(chǎn)品之所以能率先“上車”,主要?dú)w功于其與吉利汽車之間的關(guān)系深厚。芯聚能創(chuàng)始人肖國(guó)偉早在2018年就與吉利汽車合作,當(dāng)時(shí)芯聚能投資9億元在南沙建設(shè)晶圓碳化硅襯底生產(chǎn)基地,2019年正式投產(chǎn),2023年產(chǎn)值達(dá)3.99億元。

      不光是吉利在加快碳化硅功率器件的投資和擴(kuò)產(chǎn),大多數(shù)整車企業(yè)都擴(kuò)大了對(duì)于碳化硅功率器件的投入。東風(fēng)集團(tuán)旗下的智新半導(dǎo)體碳化硅模塊已于去年搭載于相關(guān)車型上。比亞迪也透露在開發(fā)碳化硅功率器件。10月22日,一汽紅旗宣布,由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。

      此外,斯達(dá)半導(dǎo)、中國(guó)中車、三安光電、華潤(rùn)微電子、派恩杰、芯聚能等企業(yè)也在布局車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品。

      國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈較分散

      碳化硅功率器件的市場(chǎng)前景非常可觀。據(jù)MEMS和半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)I(yè)機(jī)構(gòu)Yole預(yù)計(jì),到2029年,SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到近100億美元,2023年至 2029年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為24%。

      過(guò)去,中國(guó)的車載功率器件幾乎都是硅基IGBT。2018年,特斯拉在其Model3車型上,將主逆變器由傳統(tǒng)的硅基IGBT替換為意法半導(dǎo)體(ST)公司生產(chǎn)的SiCMOSFET功率模塊,帶動(dòng)中國(guó)車企紛紛效仿,也由此拉開了中國(guó)的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的序幕。

      碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié),襯底材料是產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ),外延材料是器件制造的關(guān)鍵,器件是產(chǎn)業(yè)鏈的核心,應(yīng)用是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的動(dòng)力。其中,襯底和外延共占產(chǎn)業(yè)鏈成本60%,是產(chǎn)業(yè)鏈主要價(jià)值所在。

      當(dāng)前,國(guó)外碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要以縱向多環(huán)節(jié)整合為主,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈相對(duì)較為分散,除三安光電以及中電科下屬研究所采用產(chǎn)業(yè)鏈全覆蓋模式之外,絕大多數(shù)廠商專注于產(chǎn)業(yè)鏈中某個(gè)特定環(huán)節(jié)。

      在2022年以前,SiC晶圓供應(yīng)商的供應(yīng)非常有限,英飛凌、博世等公司和各種代工廠商主要并從外部采購(gòu)SiC晶圓。作為晶圓代工廠的芯粵能從中找到了機(jī)會(huì)。

      芯粵能CEO徐偉曾表示,“市場(chǎng)對(duì)功率器件需求巨大,但硅基平臺(tái)產(chǎn)能不足凸顯,產(chǎn)業(yè)需要對(duì)國(guó)內(nèi)碳化硅芯片加工平臺(tái)這一相對(duì)短板進(jìn)行補(bǔ)足,芯粵能目前正好踩在市場(chǎng)發(fā)展的節(jié)奏上。”

      “我們不做碳化硅芯片的封裝與測(cè)試,這些由下游做,我們的母公司芯聚能也可以負(fù)責(zé)做。”上述芯粵能相關(guān)負(fù)責(zé)人表示。

      芯粵能將總投資75億元人民幣,建設(shè)年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸和24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓芯片生產(chǎn)線。根據(jù)規(guī)劃,2024年12月底,芯粵能一期產(chǎn)線投產(chǎn),2025年開始二期產(chǎn)能建設(shè),2026年實(shí)現(xiàn)一期、二期產(chǎn)能達(dá)產(chǎn)。目前,芯粵能車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。

      8英寸的門檻

      從碳化硅功率器件廠商的生產(chǎn)規(guī)模看,意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆、安森美等國(guó)外廠商的排名靠前,但在晶圓尺寸越做越大的趨勢(shì)下,一場(chǎng)新的技術(shù)競(jìng)賽已來(lái)臨。“全球也就Wolfspeed一家在生產(chǎn)8寸晶圓。”一位半導(dǎo)體行業(yè)分析人士向經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)說(shuō)。

      據(jù)了解,晶圓尺寸越大,邊緣浪費(fèi)就越小,能切出的芯片越多。以5mmx5mm尺寸的芯片為例,一張8英寸晶圓實(shí)際能切出1080顆芯片,而一張6英寸晶圓只能做576顆。“與6英寸相比,8英寸碳化硅的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在潛在成本、性能和參數(shù)均勻性等方面。”深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理和巍巍表示。

      根據(jù)天科藍(lán)數(shù)據(jù),碳化硅晶圓從4英寸升級(jí)到6英寸,單位成本可降低50%,從6英寸升級(jí)到8英寸,可進(jìn)一步降低35%。此外,當(dāng)前6英寸碳化硅工藝設(shè)備主要基于6英寸硅工藝設(shè)備改造而來(lái),受限于設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),諸多方面的性能與8英寸工藝設(shè)備存在較大差距。

      根據(jù)《2024碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計(jì),截至2024年6月,全球已有30家企業(yè)正在或計(jì)劃推進(jìn)8英寸SiC晶圓產(chǎn)線建設(shè),其中中國(guó)企業(yè)有13家。國(guó)際龍頭Wolfspeed、II-VI以及國(guó)內(nèi)龍頭天岳先進(jìn)等都已成功研發(fā)8英寸襯底產(chǎn)品。

      6英寸碳化硅晶圓還是當(dāng)下企業(yè)的主流選擇,北京半導(dǎo)體協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)這種情況將持續(xù)到2029年。從需求方面,6英寸晶圓正在商品化,價(jià)格大幅下降;供應(yīng)方面,大多數(shù)設(shè)備制造商又均繼續(xù)擴(kuò)大其6英寸晶圓的產(chǎn)能。

      “目前在8英寸碳化硅襯底市場(chǎng),還存在良率、翹曲控制等難題。因?yàn)槌叽缱兇蠛螅夹g(shù)難度會(huì)更大。”上述半導(dǎo)體行業(yè)分析人士表示,從6英寸到8英寸,不同的工藝路線、設(shè)備及耗材都需要重新設(shè)計(jì)及磨合,此外還面臨抑制晶體生長(zhǎng)等挑戰(zhàn)。國(guó)內(nèi)針對(duì)8英寸碳化硅襯底尚未進(jìn)入量產(chǎn)驗(yàn)證階段,要邁過(guò)這一門檻需要整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同合作和技術(shù)創(chuàng)新。

      版權(quán)聲明:以上內(nèi)容為《經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)》社原創(chuàng)作品,版權(quán)歸《經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)》社所有。未經(jīng)《經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)》社授權(quán),嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載或鏡像,否則將依法追究相關(guān)行為主體的法律責(zé)任。版權(quán)合作請(qǐng)致電:【010-60910566-1260】。
      行業(yè)產(chǎn)業(yè)報(bào)道部記者
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