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      存儲市場復(fù)蘇進(jìn)入倒計(jì)時,三星等芯片廠帶頭拉漲

      李彪2024-03-02 13:21

      經(jīng)過長達(dá)一年的價格腰斬與緩慢回升,“固態(tài)硬盤、內(nèi)存條漲價”再度成為熱門詞條。

      2月29日,界面新聞記者瀏覽京東平臺數(shù)碼產(chǎn)品區(qū)注意到,一款京東自營的三星500G SSD固態(tài)硬盤最新售價為379元,而去年該產(chǎn)品“618”期間價格僅為199元,前后漲幅接近1倍。

      如果排除大促因素影響,上述產(chǎn)品在去年5月到7月的價格穩(wěn)定在270元上下,淘寶、拼多多等官方渠道價格變動也與京東一致。

      對比金士頓、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、長江存儲等品牌過去一年主要產(chǎn)品,如內(nèi)存條與固態(tài)硬盤的價格走勢可以發(fā)現(xiàn),去年5月至6月期間,頭部存儲廠商大多觸及“地板價”,而目前都較此前漲價超過50%,部分產(chǎn)品甚至翻了一倍多。

      但有行業(yè)人士認(rèn)為,近期的一輪漲價只是市場歷經(jīng)寒冬后的回暖,且與暴跌前的正常價格水平仍有一段距離。

      2022年下半年,智能手機(jī)、電腦等電子消費(fèi)品全球需求銳減,存儲市場產(chǎn)能過剩,供給遠(yuǎn)大于需求。DRAM(內(nèi)存芯片)、NAND-Flash(閃存芯片)價格腰斬,2023年年年中更是跌至谷底。固態(tài)硬盤、內(nèi)存條價格直接被帶崩,市面上主流的一款1TB容量固態(tài)硬盤,2021年上市價格接近1000元,而到2023年6月時,直接打五折不足500元。內(nèi)存條的價格同樣下跌嚴(yán)重。

      經(jīng)歷過巨幅下跌后,從去年下半年開始,“不再虧本賣產(chǎn)品”已成行業(yè)共識。整個存儲產(chǎn)業(yè)從上游芯片廠到下游模組廠,產(chǎn)品供應(yīng)端帶頭拉升漲價。

      多位行業(yè)人士向界面新聞記者表示,迄今為止存儲市場的止跌、回升,主要靠源頭供應(yīng)商的拉漲。

      首先是芯片廠。三星、SK海力士、美光是全球排名前三的存儲芯片廠商,三家公司累計(jì)握有全球95%以上的DRAM與NAND-Flash訂單。

      受存儲芯片價格暴跌沖擊,“存儲三巨頭”均交出了歷史最差財報。三星去年全年凈利大幅減少72%,SK海力士、美光的凈利潤也出現(xiàn)大幅下跌乃至巨虧。

      為此,去年三家公司都已啟動減產(chǎn)計(jì)劃,通過消耗客戶庫存來遏制價格下跌。三星2023年已將DRAM、NAND Flash芯片產(chǎn)量削減了20%至25%,其減產(chǎn)計(jì)劃將一直執(zhí)行到今年第二季度,直至芯片業(yè)務(wù)徹底回歸盈虧平衡。SK海力士、美光也被曝在內(nèi)部設(shè)置了芯片價格止跌回升的“盈虧平衡紅線”。

      從去年下半年到今年開年,三家芯片廠均被曝出已經(jīng)向金士頓、西部數(shù)據(jù)等存儲設(shè)備客戶發(fā)出芯片合約價調(diào)價通知。據(jù)半導(dǎo)體市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測,芯片廠今年為減少虧損會首先推動漲價,2023年DRAM合約價第一季度漲幅將達(dá)到13%至18%,NAND-Flash則為18%至23%,且全年都將保持上漲。

      在芯片廠帶頭漲價后,金士頓、西部數(shù)據(jù)、東芝這一類存儲模組設(shè)備商采購芯片的成本相應(yīng)變高,不得不跟進(jìn)漲價。后者產(chǎn)品的漲幅雖然沒有芯片原廠的調(diào)整幅度大,但今年會延續(xù)不斷上漲的態(tài)勢。

      一位金士頓的國內(nèi)代理銷售商告訴界面新聞記者,目前存儲芯片價格漲勢已成定局。芯片廠不急于出貨,計(jì)劃在2024年不斷拉漲價格,該趨勢預(yù)計(jì)可持續(xù)半年左右,屆時也會進(jìn)一步反映在固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等產(chǎn)品的公開售價上。

      至于行業(yè)何時能迎來需求復(fù)蘇,重新回到供需平衡點(diǎn),目前還未有統(tǒng)一的共識及時間表,但AI成為刺激需求的一項(xiàng)關(guān)鍵要素。

      AI大模型去年的爆發(fā)不僅帶動了算力需求暴漲,還使行業(yè)意識到越來越多的數(shù)據(jù)需要被存儲,HBM則被行業(yè)視作適應(yīng)AI應(yīng)用場景的下一代先進(jìn)存儲技術(shù)。

      HBM(High Bandwidth Memory )是一種高帶寬存儲技術(shù),核心工藝是通過3D堆疊技術(shù)把多個DRAM芯片連接組合為一體。采用此技術(shù)生產(chǎn)出的內(nèi)存芯片不僅帶寬高、功耗低,而且密度高、占用空間小,可存儲更多數(shù)據(jù)且傳輸速度更快。

      目前SK海力士、三星、美光都在全力生產(chǎn)最新一代HBM3產(chǎn)品,以供貨英偉達(dá)生產(chǎn)最先進(jìn)的AI服務(wù)器。幾天前,SK海力士、美光管理層均表示因市場供不應(yīng)求,公司2024年的HBM份額都已售罄。

      某存儲半導(dǎo)體公司首席財務(wù)官此前接受界面新聞采訪時表示,存儲行業(yè)預(yù)期會在今年下半年逐漸走向供需平衡的復(fù)蘇。這一輪復(fù)蘇主要是AI爆發(fā)刺激對AI服務(wù)器、AI手機(jī)、AI PC的先進(jìn)存儲需求上漲,而非單純依靠廠商減產(chǎn)。


      來源:界面新聞

      作者:李彪

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