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      本土半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)企業(yè)新潔能上市 三季報(bào)營(yíng)收凈利雙增

      黃一帆2020-09-28 21:53

      經(jīng)濟(jì)觀察網(wǎng) 記者 黃一帆 9月28日,中國(guó)半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)公司新潔能(605111.SH)在上交所主板正式掛牌上市,上市當(dāng)天股價(jià)一字漲停,截至收盤(pán)股價(jià)為28.67元/股,漲幅為44%。

      據(jù)了解,新潔能本次A股發(fā)行價(jià)為19.91元/股,發(fā)行數(shù)量為2530萬(wàn)股,保薦機(jī)構(gòu)(主承銷商)為平安證券股份有限公司。

      據(jù)了解,新潔能的主營(yíng)業(yè)務(wù)為 MOSFET、IGBT 等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售。產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子、新能源汽車(chē)/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。

      三季報(bào)營(yíng)收與凈利雙雙預(yù)增

      據(jù)招股書(shū)顯示,新潔能成立于2013年1月,專業(yè)從事MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售。

      新潔能為專業(yè)化垂直分工廠商,芯片主要由公司設(shè)計(jì)方案后交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行生產(chǎn),功率器件主要由公司委托外部封裝測(cè)試企業(yè)對(duì)芯片進(jìn)行封測(cè)代工而成,公司已初步完成先進(jìn)封裝測(cè)試生產(chǎn)線的建設(shè),將少部分芯片自主封裝后對(duì)外銷售。

      據(jù)了解,目前公司量產(chǎn)屏蔽柵功率 MOSFET 及超結(jié)功率 MOSFET 的企業(yè)之一,是國(guó)內(nèi)最早同時(shí)擁有溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET 及 IGBT 四大產(chǎn)品平臺(tái)的本土企業(yè)之一。

      從營(yíng)收來(lái)看,近年?duì)I收凈利較快增長(zhǎng),2017-2019年新潔能分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入5.04億元、7.16億元和 7.73億元,凈利潤(rùn)分別為 5189.11 萬(wàn)元、1.41億元和 9820.95萬(wàn)元。

      值得一提的是,新潔能預(yù)計(jì)今年1-9 月?tīng)I(yíng)業(yè)收入?yún)^(qū)間為 6.4億元至 6.55億元,同比上漲18.05%至20.82%;預(yù)計(jì)2020年1-9月歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)區(qū)間為9200萬(wàn)元至9700萬(wàn)元,同比上漲44.82%至52.69%。

      新潔能本次發(fā)行募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后,將主要用于“超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”“半導(dǎo)體功率器件封裝測(cè)試生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”“碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”“研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”及“補(bǔ)充流動(dòng)資金”。

      對(duì)于公司的發(fā)展戰(zhàn)略,新潔能董事長(zhǎng)、總經(jīng)理朱袁正在上市路演中表示:公司將專注于中高端半導(dǎo)體功率器件和模塊的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售。在保持MOSFET產(chǎn)品技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上,公司將不斷引進(jìn)各類管理、技術(shù)、營(yíng)銷人才,構(gòu)建高效、現(xiàn)代化的經(jīng)營(yíng)管理體系,進(jìn)一步拓展MOSFET產(chǎn)品、重點(diǎn)深化IGBT產(chǎn)品,成為國(guó)內(nèi)自主創(chuàng)新、技術(shù)領(lǐng)先、品質(zhì)高端的自主品牌的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

      同時(shí),朱袁正還表示,公司將進(jìn)一步加大研發(fā)投入,持續(xù)整合半導(dǎo)體功率器件封裝測(cè)試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈,掌控先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN(碳化硅/氮化鎵)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件,進(jìn)一步強(qiáng)化企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力,加快發(fā)展成為國(guó)際一流的半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。

      持續(xù)投入研發(fā)

      為持續(xù)鞏固并提升公司在市場(chǎng)中的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),近幾年公司持續(xù)加大研發(fā)投入。

      數(shù)據(jù)顯示,2017年—2019年,公司研發(fā)費(fèi)用分別為2162.27萬(wàn)元、3283.88萬(wàn)元、3449.53萬(wàn)元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率為26.31%。

      截至 2020 年 1 月 19 日,公司擁有 97 項(xiàng)專利,其中發(fā)明專利 35 項(xiàng),發(fā)明專利數(shù)量和占比在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)內(nèi)位居前列;公司擁有的該等專利與 MOSFET、IGBT、功率模塊以及先進(jìn)工藝技術(shù)密切相關(guān),對(duì)公司核心技術(shù)形成了專利保護(hù),對(duì)同行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)者和潛在競(jìng)爭(zhēng)者均形成了較高的技術(shù)壁壘。

      此外,公司參與在 IEEE等國(guó)際知名期刊中發(fā)表論文 13 篇,其中 SCI 收錄論文 7 篇,不斷提升公司自身在先進(jìn)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的整體技術(shù)水平,縮小了與國(guó)際一流半導(dǎo)體功率器件企業(yè)的技術(shù)差距,拉大了與國(guó)內(nèi)同行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)者的技術(shù)差距。

      公司與科研院所在功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域開(kāi)展長(zhǎng)期合作,針對(duì)重點(diǎn)項(xiàng)目成立了技術(shù)攻關(guān)小組。公司持續(xù)推進(jìn)高端 MOSFET、IGBT 的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,在已推出先進(jìn)的超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數(shù)款產(chǎn)品基礎(chǔ)上,進(jìn)一步對(duì)上述產(chǎn)品升級(jí)換代。公司目前亦率先在國(guó)內(nèi)研發(fā)基于 12 英寸晶圓片工藝平臺(tái)的 MOSFET 產(chǎn)品,部分產(chǎn)品已處于小批量風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)環(huán)節(jié)。

      公司表示,進(jìn)一步提前布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域,開(kāi)展對(duì) SiC/GaN 寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研究探索和產(chǎn)業(yè)化,緊跟最先進(jìn)的技術(shù)梯隊(duì),提升公司核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)地位。

      據(jù)了解,目前新潔能功率器件應(yīng)用范圍已經(jīng)逐步拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等新領(lǐng)域,可以說(shuō)未來(lái)凡是用到電的地方,就會(huì)用到功率器件。

      據(jù)Gartner 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,汽車(chē)行業(yè)越來(lái)越成為下游主要需求方,而功率半導(dǎo)體尤其是MOSFET及IGBT,是汽車(chē)電子的核心,根據(jù)Strategy Analytics的分析,在傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)車(chē)上,功率半導(dǎo)體價(jià)值為71美元,占據(jù)車(chē)用半導(dǎo)體總價(jià)值的21%;而在純電動(dòng)車(chē)上,功率半導(dǎo)體價(jià)值為387美元,占據(jù)車(chē)用半導(dǎo)體總價(jià)值的55%。

      根據(jù)全球知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2016 年、2017年國(guó)內(nèi)MOSFET市場(chǎng)份額分別為22.07億美元、26.39億美元。新潔能 2016 年、2017 年分別占國(guó)內(nèi) MOSFET 市場(chǎng)份額比例分別為(年度平均匯率分別為 6.6423、6.7518)2.88%、2.83%,且公司為除英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、瑞薩電子(Renesas Electronics)等 9 家外資品牌外的國(guó)內(nèi)排名前茅的 MOSFET研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售本土企業(yè)。

      版權(quán)聲明:以上內(nèi)容為《經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)》社原創(chuàng)作品,版權(quán)歸《經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)》社所有。未經(jīng)《經(jīng)濟(jì)觀察報(bào)》社授權(quán),嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載或鏡像,否則將依法追究相關(guān)行為主體的法律責(zé)任。版權(quán)合作請(qǐng)致電:【010-60910566-1260】。
      華東新聞中心記者
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