最近兩天，芯片界的大事不斷！

據(jù)多家媒體報道，中國3D NAND領軍企業(yè)長江存儲已在美國加州北區(qū)對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專利，涉及3D NAND操作的各個方面。長江存儲請求法院下令美光停止在美國銷售其內存，并向其支付專利使用費。

這是繼今年6月后，長江存儲又一次對美光出手。2023年11月，長江存儲就曾在美國起訴美光專利侵權，涉8項專利；2024年6月，長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。

今天，還有消息稱，英偉達正在為中國市場開發(fā)一款符合美國現(xiàn)行出口管制的新旗艦人工智能芯片。另一方面，三星電機宣布向AMD供應面向超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心領域的高性能FCBGA基板。

來看報道！

長江存儲突發(fā)

據(jù)媒體報道，中國3D NAND領軍企業(yè)長江存儲已在加州北區(qū)對美光提起訴訟（通過 Blocks&Files），指控這家美國公司侵犯了其11項專利，涉及3D NAND操作的各個方面。長江存儲請求法院下令美光停止在美國銷售其內存，并向其支付專利使用費。

長江存儲表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND存儲器以及美光的部分DDR5SDRAM產品（Y2BM系列）侵犯了其在美國提交的11項專利或專利申請。據(jù)@lithos_graphein收集的專利申請列表表明，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的一般方面。

美國商務部于2022年底將長江存儲列入黑名單，這大大增加了該公司從美國公司獲得先進晶圓廠設備，以制造其市場領先的3D NAND設備的難度。去年，因為美國商務部禁止銷售可用于制造具有超過128個活動層的3D NAND的晶圓廠工具和技術，長江存儲發(fā)展的難度再度加大。

有趣的是，總部位于美國的 Patriot Memory正在準備一款高端PCIeGen5x4SSD，其讀取速度高達14GB/s。而該公司的技術正是基于一家中企——Maxiotek的控制器和長江存儲的3D NAND內存。

芯片大事不斷

最近，芯片界的大事可謂不斷。

7月22日消息，三星電機宣布向AMD供應面向超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心領域的高性能FCBGA（倒裝芯片球柵陣列，F(xiàn)lipChip-Ball Grid Array）基板。

三星電機在新聞稿中宣稱，其已向FCBGA基板領域投資了1.9萬億韓元（約99.5億元人民幣）。?三星電機與AMD聯(lián)手開發(fā)了將多個半導體芯片集成到單個基板上的封裝技術，這項技術對CPU/GPU應用至關重要，可實現(xiàn)當今超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心所需的高密度互聯(lián)。與通用計算機基板相比，數(shù)據(jù)中心基板面積是前者10倍、層數(shù)是前者3倍，對芯片供電與可靠性的要求更高。

據(jù)IT時代消息，三星電機副總裁兼戰(zhàn)略營銷主管Kim Won-taek表示：“我們已成為HPC（高性能計算）和AI半導體解決方案全球領導者AMD的戰(zhàn)略合作伙伴。我們將繼續(xù)投資于先進的基板解決方案，以滿足數(shù)據(jù)中心和計算密集型應用不斷變化的需求，為AMD等客戶提供核心價值。”

AMD全球運營制造戰(zhàn)略副總裁Scott Aylor表示：“AMD始終走在創(chuàng)新的前沿，以滿足客戶對性能和效率的需求。我們在芯片技術領域的領先地位讓我們能夠在CPU和數(shù)據(jù)中心GPU產品組合中提供卓越的性能、效率和靈活性。我們與三星電子等合作伙伴的持續(xù)投資，將確保我們擁有提供未來HPC和AI產品所需的先進基板技術和能力。”

三星和AMD的聯(lián)手，對于全球算力需求用戶來說，是一大福音，但對于GPU的最大生產商英偉達來說，可能并不是一個好消息。

而最近，英偉達也有動作。據(jù)路透社22日消息，英偉達正在為中國市場開發(fā)一款符合美國現(xiàn)行出口管制的新旗艦人工智能芯片。英偉達今年3月發(fā)布了“Blac kwel”芯片系列，并將于今年晚些時候量產。在該系列中，B200在某些任務（如提供聊天機器人的回答）上的速度比前代產品快30倍。消息人士稱，英偉達將與其中國經銷商伙伴合作推出和分銷這款暫定名為“B20”的芯片。

來源：證券時報